J. Xu
金属学报(英文版)
Hydrogenated amorphous carbon films were fabricated by using layer-by-layer deposi-tion method and hydrogen dilution method in a small d.c.-assisted plasma enhancedchemical vapor deposition system. It was found that the hydrogen plasma treatmentcould change the sp2/sp3 ratio to some extent by chemical etching. The improvementsof field emission characteristics were observed compared with that from conventionallydeposited a-C films, which can be attributed to the large field enhancement effect dueto the inhomogeneous distribution of nanometer scale sp2 clusters and the reductionof the surface emission barrier due to the hydrogen termination.
关键词:
field emission
,
null
,
null
Dongmei Ban Ningsheng Xu Shaozhi Deng Jun Chen Juncong She
材料科学技术（英）
A simple method is introduced for the preparation of large-area films of molybdenum trioxide (MoO3) microbelts. It is found that such films can be grown on indium tin oxide (ITO) glasses or silicon substrates at low temperatures by thermal evaporation deposition in air without using catalyst. Field emission measurements show that the turn-on field of the MoO3 microbelts is as low as 2.2 V/μm required to obtain a current density of 10 μA/cm2. The combination of the simplicity of the growth method and the attractive field emission performance makes it a potential low-cost technique for the preparation of large-area field emission cold cathode material.
关键词:
Field emission
,
large-area film
,
molybdenum trioxide
,
microstructures
,
synthesis
樊志琴
,
朱庆芳
,
杨仕娥
,
姚宁
,
鲁占灵
,
张兵临
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.040
在抛光的和未抛光的不锈钢衬底上,利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法从甲烷和氢气的混合气体中沉积碳纳米管薄膜,并对其场发射性能进行了研究.实验发现,不锈钢衬底的机械抛光能降低碳纳米管膜的开启场强,增大它的发射电流密度.在同一场强7.5 V/μm下,衬底未抛光样品的电流密度为2.9 mA/cm2,而衬底抛光样品的电流密度达到5.5 mA/cm2.低开启场强和大发射电流密度意味着β增大,说明机械抛光能使碳纳米管膜的β增大.
关键词:
碳纳米管膜
,
场发射
,
MPCVD
,
拉曼光谱
樊志琴
,
李瑞
,
蔡根旺
,
张君德
,
王建星
人工晶体学报
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜.研究碳纳米管膜在放电过程中对其场发射性能的影响.通过XPS、Raman光谱等手段,分析碳纳米管膜在放电过程中sp2碳和sp3碳含量的变化,对碳纳米管膜场发射性能变化的根源进行研究.结果显示,在放电过程中,碳纳米管膜中sp2碳的含量减少,场发射性能变差.经过分析,我们认为发生这种现象的原因是:发射电子主要是从sp2碳发出的,sp2碳的减少直接影响了发射电子的减少,故其场发射性能降低.
关键词:
碳纳米管
,
MPCVD
,
场发射
,
拉曼光谱
王欣
,
王发展
,
雷哲锋
,
马姗
,
王哲
,
吴振
,
何银花
人工晶体学报
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了不同横截面氧化锌纳米线(ZnONW)的结构稳定性和场致发射特性.结果表明:ZnONW的直径越大,原子弛豫后Zn-O键键长变化越小,体系越稳定;随外加电场增强,长径比较大的纳米线体系态密度(DOS)和分波态密度(PDOS)均向低能方向移动,最高占据分子轨道(HOMO)-最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减少,体系电荷移向NW顶端.DOS/PDOS,HOMO/LUMO,能隙及有效功函数分析结果表明,具有较小横截面积的NW-1场发射性能最佳.
关键词:
第一性原理
,
ZnO纳米线
,
场发射
,
电子结构
游玉香
,
叶芸
,
林志贤
,
郭太良
功能材料
通过丝网印刷技术,将碳纳米管(carbon nanotube,CNT)浆料直接转移到CrCuCr薄膜衬底电极、掺Sn的In_2O_3(indium tin oxides,ITO)透明导电薄膜衬底电极和Ag浆导电厚膜衬底电极上,高温烧结后得到CNT阴极,并对CNT阴极进行表面形貌和场发射性能的研究.结果表明,不同衬底电极对CNT阴极场发射性能的影响不一样,CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极、ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极及Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极场发射的开启电场分别为0.99、2.05和2.46V/μm;当电场为3.0V/μm时,它们的亮度分别为2472、1889、587cd/m~2.CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极的场发射性能最优,ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极次之,Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极最差,并根据金属-半导体理论模型分析了原因.
关键词:
碳纳米管
,
丝网印刷
,
场发射
,
衬底电极
富笑男
,
符建华
,
罗艳伟
,
李坤
,
程莉娜
,
李新建
功能材料
测试了用水热技术制备的硅纳米孔柱阵列(silicon nanoporous pillar array(简称Si-NPA))的场致发射性能.测试结果显示,Si-NPA的开启电场为约1.48V/μm;在5V/μm的外加电场下,其发射电流密度为28.6μA/cm~2;在外加电场4.4V/μm时,其电流浮动率为13%.Si-NPA发射性能增强的原因是由于其独特的表面形貌和结构所致.
关键词:
硅纳米孔柱阵列
,
场致电子发射
,
纳米硅
,
多孔硅
王欣
,
王发展
,
王哲
,
何银花
,
马姗
,
吴振
人工晶体学报
运用以密度泛函理论为基础的第一性原理计算方法,研究了N-M(In,Ga,Al)共掺(6,6)型闭口氧化锌(ZnO)单壁纳米管的结构稳定性和场致发射特性.结果表明:共掺可增强体系帽端的稳定性;外加电场越大,各体系的态密度(DOS)分布越低,能隙和有效功函数越小,电荷向帽端聚集.DOS,最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO),Mulliken电荷和有效功函数分析结果一致表明,N-In共掺体系的场发射性能最优.
关键词:
第一性原理
,
ZnO纳米管
,
场致发射
,
共掺杂
何银花
,
王发展
人工晶体学报
以第一性原理计算方法为基础,研究了不同构型的ZnO-NC(氧化锌纳米锥),得到了五种稳定的几何结构,电子结构分析表明Zn-Zn(4P)的场发射性能最优.在此基础上,进一步研究了In/Mg掺杂Zn-Zn(4P)体系的场发射性能,结果表明:掺杂使结构稳定性增强,相比掺Mg和未掺体系,掺In提高了LDOS(局域态密度)峰值且峰位更靠近EF(费米能级),尖端电子密度增大;根据Mulliken电荷、HOMO(最高占据分子轨道)-LUMO(最低未占据分子轨道)能隙及有效功函数的计算,可知In-In(4P)具有更优异的场发射性能.
关键词:
第一性原理
,
氧化锌纳米锥
,
电子输运
,
场发射
刘光清
,
王六定
,
王益军
,
杨敏
人工晶体学报
本文运用第一性原理研究了(9,0)型闭口硼氮纳米管及其两种C掺杂体系的场发射性能.对三种纳米管体系的态密度、局域态密度、赝能隙、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙和Mulliken电荷的分析结果表明,C替代顶层六元环中硼与氮原子的场发射性能分别最优和最差.由此可见,C掺杂改善硼氮纳米管场发射性能的关键在于被置换原子的种类.
关键词:
C掺杂
,
硼氮纳米管
,
场发射
,
第一性原理
